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【2h】

Electrical properties of n-type GaSb substrates and p-type GaSb buffer layers for InAs/InGaSb superlattice infrared detectors

机译：用于Inas / InGasb超晶格红外探测器的n型Gasb衬底和p型Gasb缓冲层的电学特性

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W. C. Mitchel; S. Elhamri; H. J. Haugan; R. Berney; Shin Mou; G. J. Brown;
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年度 2015
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